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  • /深紫外LEDの研究成果に関して
  • 2015年6月1日： 「理研、「空白波長」に挑む」の記事が日経産業新聞から新聞報道されました。（メニューの新聞報道その他の報道に記載）
  • 2014年4月15日：平山T.L.が深紫外LEDのこれまでの研究成果に関して、【文部科学大臣表彰科学技術賞研究部門】を受賞しました。
    平山秀樹：“窒化物半導体を用いた深紫外線LEDの研究”
  • 2015年3月14日：第62回応用物理学会春季学術講演会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2015年3月2日：電子ジャーナルテクニカルセミナーにて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2015年2月20日：LED照明推進協議会会員研修会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2015年2月19日：住友化学セミナーにて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2015年2月17日：第28回理化学研究所と産業界との交流会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2015年2月7-12日：国際会議【Photonics West】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2015年1月22日：Applied Physics Expressに掲載されました。
    J. Yun, J. I. Shim, H. Hirayama: “Analysis of efficiency droop in 280-nm AlGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes based on carrier rate equation”, Applied Physics Express, Vol. 8, No. 2, pp. 022104-1-3, 2015.
  • 2015年1月15日：ライティングジャパン2015セミナーにて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年12月23日：電子情報通信学会にて、寺嶋研究員が招待講演を行いました。
  • 2014年12月13日：日本学術振興会162委員会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年12月11日：照明学会個体光源分科会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年12月2-5日：国際会議【Light, Energy and the Environment Congress 2014】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年11月30日：理化学研究所科学講演会2014にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年11月18日：光とレーザーの科学技術フェアにて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年11月：InterLab特集に掲載されました。
    平山秀樹、前田哲利、藤川紗知恵、豊田史郎、金澤裕也、鎌田憲彦、椿健治、阪井淳、高野隆好、美濃卓哉、野口憲路：“AlGaN系深紫外LEDの進展と今後の展望”、InterLab特集「注目の技術とその傾向」、No. 112、2014年秋号、pp. 10-16, 2014.
  • 2014年10月24日：技術情報協会セミナーにて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年10月：JJAPに掲載されました。
    H. Hirayama, N. Maeda, S. Fujikawa, S. Toyota and N. Kamata: “Recent progress and future prospects of AlGaN-based high-efficiency deep-ultraviolet light-emitting diodes”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 53, No. 10, pp. 100209-1-10, 2014.
  • 2014年9月12日：OPTO NEWSに掲載されました。
    平山秀樹：“量子カスケードレーザの進展と今後の展望”、オプトニューズ、Vol. 9, No. 3, pp. 27-31, 2014.
  • 2014年9月9日：産業用LED応用研究会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年9月5日：第6回テラテクビジネスセミナーにて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年8月24-29日：国際会議【IWN2014】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年8月24-29日：国際会議【IWN2014】にて、寺嶋研究員が招待講演を行いました。
  • 2014年8月26日：「IWN国際会議ポスター賞」を受賞しました。
    【Outstanding Poster Award】
    S. Toyoda, W. Terashima, N. Kamata and H. Hirayama: “MOCVD Growth and Characterization of THz Quantum Cascade Structure”, IWN2014, Outstanding Poster Award, August 26, 2014.
  • 2014年7月17日：テラヘルツ波科学技術と産業開拓第182委員会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年7月11日：光電相互変換第125委員会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年7月11日：2014印刷・情報記録・表示研究会基礎講座にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年6月27日：2014年度第1回光材料・応用技術研究会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年6月23日：サイエンス＆テクノロジーにて（株）技術セミナーにて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年6月5日：2014最先端実装技術シンポジウムにて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年5月7-10日：国際会議【ISNE2014】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年4月24日：国際会議【OPIC2014】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年4月22-24日：国際会議【LEDIA'14】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年4月9日： 「深紫外線、光源にLED」の記事が日刊工業新聞から新聞報道されました。（メニューの新聞報道その他の報道に記載）
  • 2014年4月3日： 「高効率LEDで新製法、丸文・理研など安全に殺菌実用へ」の記事が日刊工業新聞から新聞報道されました。（メニューの新聞報道その他の報道に記載）
  • 2014年3月19日： Phys. Status Solidi (c)に掲載されました。
    A. Z. M. Touhidul Islam, N. Murakoshi, T. Fukuda, H. Hirayama and N. Kamata: “Optical detection of nonradiative recombination centers in AlGaN quantum wells for deep-UV region”, Phys. Status Solidi (c), Vol. 11, No. 3-4, pp. 832-835, 2014.
  • 2014年3月21日：国際会議【tSSL2014】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年2月2日：国際会議【SPIE Photonic West】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年12月：OPTRONICSに掲載されました。
  1. 平山秀樹：“深紫外LED高効率化への新たな進展”、OPTRONICS、Vol. 33, No. 386, P. 56-57.
  2. 平山秀樹、前田哲利、藤川紗知恵、豊田史朗、鎌田憲彦：“素子透明化によるAlGaN深紫外LEDの光取出し効率の高効率化”、OPTRONICS、Vol. 33, No. 386, P. 58-66.
  • 2014年1月24日：電子情報通信学会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2014年1月17日：NICT-理研合同テラヘルツ研究交流会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年12月：電気学会論文誌Cに掲載されました。
    佐々木美穂、林宗澤, 平山秀樹：“間接注入機構量子カスケードレーザの1.89THz，160K発振”，信学技報、Vol. 113, No. 357, P. 53-56.
  • 2013年12月：Nitride semiconductor light-emitting diodes (LEDs)に掲載されました。
    H. Hirayama: "Ultra-violet LEDs", Nitride semiconductor light-emitting diodes (LEDs), No. 54, P. 497-532.
  • 2013年10月：pssに論文が掲載されました。
  1. T. T. Lin and H. Hirayama: “Improvement of operation temerature in GaAs/AlGaAs THz-QCLs by utilizing high Al conposition barrier”, Phys. Status Solidi C, Vol. 10, No. 11, P. 1430-1433 (2013).
  2. M. Sasaki, T. T. Lin and H. Hirayama: “1.9 THz selective injection design quantum cascade laser operating at extreme higher temperature above kBT line”, Phys. Status Solidi C, Vol. 10, No. 11, P. 1448-1451 (2013).
  • 2013年10月：pssに論文が掲載されました。
    N. Maeda and H. Hirayama: “Realization of high-efficiency deep-UV LEDs using transparent p-AlGaN contact layer”, Phys. Status Solidi C, Vol. 10, No. 11, P. 1521-1524 (2013).
  • 2013年10月：Conpound Semiconductorに掲載されました。
    H. Hirayama: “Building brighter and cheaper UV LEDs”, Conpound Semiconductor, Technology, Vol. 19, No. 7, P. 43-47.
  • 2013年10月29日：国際会議【ISOT2013】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年10月5日：学都仙台コンソーシアムサテライトキャンパス公開講座にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年9月3日：理研新技術説明会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年8月26日：国際会議【ICNS-10】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年8月：電気学会論文誌Cに掲載されました。
    佐々木美穂、林宗澤, 平山秀樹：“選択注入機構1.9 THz量子カスケードレーザの高温動作”，信学技報、Vol. 113, No. 186, P. 77-80.
  • 2013年8月：電気学会論文誌Cに掲載されました。
    平山秀樹、藤川紗知恵、鎌田憲彦：“AlGaN系率紫外LEDの進展”、電気学会論文誌C、特集「パワー半導体レーザとその応用」、Vol. 133, No. 8, pp. 1443-1448.
  • 2013年6月26日：国際会議【LED EXPO 2013】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年6月20日：光・量子デバイス研究会にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年6月18日：光協会セミナーにて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年5月30日：国際会議【E-MRS 2013 Spring Meeting】にて、藤川研究員が招待講演を行いました。
  • 2013年5月13日：国際会議【APWS 2013】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年5月：月刊オプトロニクスに掲載されました。
    平山秀樹、寺嶋亘、林宗澤：“AlGaAs系・AlGaN系テラヘルツ量子カスケードレーザの進展”、オプトロニクス（OPTRONICS）「応用展開が進む量子カスケードレーザ」、Vol. 32, No. 377, P. 81-88, 2013年5月号.
  • 2013年4月24日：国際会議【ALPS' 13】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年4月24日：国内会議【OPIE' 13】にて、平山T.L.が招待講演を行いました。
  • 2013年4月10日：国際会議【EMN Spring】にて、寺嶋研究員が招待講演を行いました。
  • 2012年3月2日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が砥粒加工学会先進テクノフェア（ATF2012）講演会において招待講演を行いました。
    平山秀樹："最新LED技術の展開と加工技術への課題"、砥粒加工学会先進テクノフェア（ATF2012）講演会「省エネルギー社会を支える先進加工技術」、都立産業技術高等工業専門学校、2012年3月2日

  • 2012年1月31日：最近のTHz量子カスケードレーザーの研究成果に関して、平山T.L.がレーザー学会シンポジウムで招待講演を行いました。
    平山秀樹、寺嶋亘、林宗澤："テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展と今後の展望"、レーザー学会学術講演会第32回年次大会、仙台、2012年1月31日
  • 2012年1月25日：藤川紗千恵研究員が、【理化学研究所　平成23年度基礎科学・国際特別研究員研究成果発表会 ポスター賞】を受賞しました。
    藤川紗千恵: "Study of light emitting diode on nitride semiconductor"
  • 2011年12月19-20日：最近のTHz量子カスケードレーザーの研究成果に関して、平山T.L.が日韓THzワークショップで招待講演を行いました。
    H. Hirayama, W. Terashima and T. T. Lin: "Recent progress and future prospects of THz-quantum-cascade lasers"、The 4th Japan-Korea Joint Workshop on Terahertz Technology, Nagoya, December 19-20.
  • 2011年12月16日：THz量子カスケードレーザーの国内最高動作温度（143K）に関して、APEXに論文が掲載されました。
    T. T. Lin, L. Ying and H. Hirayama: "Threshold curret density reduction by utilizing high-Al-composition barriers in 3.7 THz GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers", Appl. Phys. Express, Vol. 5, 012101, 2011.
  • 2011年12月14日：最近のTHz量子カスケードレーザーの研究成果に関して、平山T.L.が電子情報通信学会で招待講演を行いました。
    平山秀樹、寺嶋亘、林宗澤："テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展と今後の展望"、電子情報通信学会・エレクトロニクスソサエティ・電子デバイス研究会「ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム」、東北大学、2011年12月14日

  • 2011年12月7-9日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が韓国で行われる国際会議【ICAMD2011】で招待講演を行いました。
    H. Hirayama: "High-efficiency AlGaN DUV LEDs", The 7th International Conference on Advabced Materials and Devices (ICAMD2011), Jeju, Korea, December 7-9, 2011.

  • 2011年11月25日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が理研・ナノサイエンス研究施設研究交流会で招待講演を行いました。
    平山秀樹："ナノプロセスを用いた高効率深紫外LED"、理研・ナノサイエンス研究施設研究交流会、理研本所、2011年11月25日

  • 2011年11月18日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が理研ベンチャーの会交流会で依頼講演を行いました。
    平山秀樹："AlGaN系深紫外LEDの開発（ベンチャー起業の可能性に関して）"、理研ベンチャーの会第2回交流会、理研東京連絡事務所、2011年11月18日

  • 2011年11月16日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が電子ジャーナルテクニカルセミナーで招待講演を行いました。
    平山秀樹：“UV-LEDの現状と将来展望”、電子ジャーナルテクニカルセミナー、御茶ノ水、総評会館、2011年11月16日

  • 2011年11月8-10日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が中国で行われる国際会議【ChinaSSL2011】で招待講演を行いました。
    H. Hirayama: "Marked increase of injection efficiency in AlGaN deepUV LEDs using multi-quantum barrier (MQB)", China International Exhibition and forum on Solid State Lighting (ChinaSSL2011), Shinzhen, China, November 8-10, 2011.
  • 2011年6月30日：最近のテラヘルツ量子カスケードレーザーの研究成果に関して、平山T.L.が理研シンポジウムで招待講演を行いました。
    平山秀樹：“テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展”、第12回理研・分子研合同シンポジウム「エクストリーム研究」、理研本所、2011年6月30日
  • 2011年5月22-26日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が三重県鳥羽で行われた国際会議【APWS-2011】で招待講演を行いました。
    H. Hirayama: "High-efficiency short-wavelength AlGaN DUV LEDs realized by improving injection efficiency with MQB", 5th Asia-Pacific Workshhop on Widegap Semiconductors (APWS-2011), Toba, Mie, May 22-26, 2011.
  • 2011年4月22日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が日本学術振興会第162委員会で招待講演を行いました。
    平山秀樹：“AlGaN系深紫外LEDの高効率化、進展と展望”、ワイドギャップ半導体光・電子デバイス、日本学術振興会第162委員会（第74回研究会）、東京、2011年4月22日
  • 2011年4月：深紫外LEDに関する総説が「応用物理」2011年4月号に掲載されました。
    平山秀樹、藤川紗千恵、塚田悠介、鎌田憲彦：“AlGaN系深紫外LEDの進展と展望”、応用物理、2011年4月号

  • 2011年4月：GaN系THz-QCLの結晶成長の進化と、世界初バンド内遷移自然放出発光の実現に関して、3件（APEX、PSS）論文が掲載されました。
  1. W. Terashima and H. Hirayama: "Molecular beam epitaxy growth of GaN/AlGaN quantum cascade structure using droplet elimination by thermal annealing technique", Phys. Status Solidi A 208, No. 5, pp. 1187-1190 (2011).
  2. W. Terashima and H. Hirayama: "Spontaneous emission from GaN/AlGaN terahertz quantum cascade laser grown on GaN substrate", Phys. Status Solidi C, Vol. 8, pp. 2302-2304 (2011).
  3. W. Terashima and H. Hirayama: "The Utility of Droplet Elimination by Thermal Annealing Technique for Fabrication of GaN/AlGaN Terahertz Quantum Cascade Structure by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy", Appl. Phys. Express, 3 125501 (2010).
  • 2011年3月16-18日：平山T.L.がGranadaで行われる国際会議【G-J-S Workshop】で招待講演を行う予定でしたが、震災のためキャンセルになりました。
    H. Hirayama: "Recent progress and future prospects of AlGaN based deep-UV LEDs", German-Japan-Spanish Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices, Granada, Spain, March 16-18, 2011.

  • 2011年2月18日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が電気学会パワー半導体レーザー、パワーLED応用技術調査専門委員会研究会で招待講演を行いました。
    平山秀樹：“AlGaN系深紫外LEDの進展と展望”、電気学会パワー半導体レーザー、パワーLED応用技術調査専門委員会研究会、市ヶ谷、2011年2月18日

  • 2011年1月6日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が同社大学界面現象研究センター研究会で招待講演を行いました。
    平山秀樹：“AlGaN系深紫外LEDの進展と展望”、同社大学界面現象研究センター研究会、同志社大学京田部キャンパス、2011年1月16日

  • 2010年12月8-12日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が上海で行われた国際会議【APC2010】で招待講演を行いました。
    H. Hirayama: "Advances of AlGaN-based high-efficiency deep-UV LEDs", Asia Communications and Photonics (APC2010), Shanghai, China, December 8-12, 2010.

  • 2010年12月2日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が韓国で行われたSeoul Optodevice Forumで招待講演を行いました。
    H. Hirayama: "Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs", Seoul Optodevice Forum, Seoul, China, December 2, 2010.
  • 2010年11月26日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.がCREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」公開シンポジウムで招待講演を行いました。
    平山秀樹：“230-350nm帯InAlGaN系深紫外高効率発光デバイスの研究”、CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」第3回公開シンポジウム、日本科学未来館、2010年11月26日

  • 2010年11月12日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が月刊OPTRONICS主催グリーンフォトニクス特別セミナーで招待講演を行いました。
    平山秀樹：“AlGaN系紫外LEDの進展と展望”、月刊OPTRONICS主催グリーンフォトニクス特別セミナー、東京都立産業貿易センター、2010年11月12日

  • 2010年11月10日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.がJEITA（電子情報技術産業協会）ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術分科会研究会で招待講演を行いました。
    平山秀樹：“AlGaN系紫外LEDの進展と展望”、JEITAワイドバンドギャップ半導体デバイス技術分科会研究会、東京、2010年11月10日

  • 2010年10月14-16日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が中国で行われた国際会議【ChinaSSL2010】で招待講演を行いました。
    H. Hirayama: "Recent ptogress of AlGaN based deep-UV LEDs", 7th China International Exhibition and forum on Solid State Lighting (ChinaSSL2010), Shinzhen, China, October 14-16, 2010.

  • 2010年10月5日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.がサムコ株式会社セミナーで招待講演を行いました。
    平山秀樹：“AlGaN系紫外LEDの進展と展望”、サムコ株式会社セミナー、京都、2010年10月5日
  • 2010年10月：深紫外LEDに関する総説が「表面技術」2010年4月号に掲載されました。
    平山秀樹：“AlGaN系殺菌用途紫外LEDの進展と今後の展望”、表面技術、特集「LED照明と表面技術」、2010年61巻10月号
  • 2010年9月17日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が電子情報通信学会ソサエティ大会シンポジウムで招待講演を行いました。
    平山秀樹：“AlGaN系深紫外LEDの高効率化”、電子情報通信学会ソサエティ大会シンポジウム「レーザー量子エレクトロニクス研究会」、大阪府立大学、2010年9月17日

  • 2010年9月16日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が第71回応用物理学会学術講演会シンポジウムで招待講演を行いました。
    平山秀樹：“220-280nmAlGaN系紫外LEDの進展”、第71回応用物理学会学術講演会シンポジウム「ワイドギャップ窒化物AlGaNの結晶評価と深紫外光デバイス応用」、長崎大学、2010年9月16日

  • 2010年9月16-20日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.がタンパで行われた国際会議【IWN2010】で招待講演を行いました。
    H. Hirayama: "Short-wavelength high-efficiency deep-UV LEDs realized by improving injection efficiency", International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010), Florida, U.S.A., September 16-20, 2010.
  • 2010年9月9日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が日本学術振興会第147委員会「アモルファス・ナノ材料」で招待講演を行いました。
    平山秀樹：“AlGaN系材料界面制御技術と深紫外LEDの進展”、日本学術振興会第147委員会第108回研究会「アモルファス・ナノ材料」、東京、2010年9月9日
  • 2010年8月30日：シリコン基板上短波長（<260nm）深紫外LEDの実現に関して、APEXに論文がアクセプトされました。
    T. Mino, H. Hirayama, T. Takano, K. Tsubaki and M. Sugiyama: "Realization of 256-278 nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes on Si substrates using epitaxial lateral overgrowth AlN templates", Appl. Phys. Express, to be published.
  • 2010年8月18日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が韓国で行われたLG Innotek Forumで招待講演を行いました。
    H. Hirayama: "Recent ptogress of AlGaN based deep-UV LEDs", LG Innotek Forum, Seoul, Korea, August 18-19, 2010.

  • 2010年7月24日：最近のテラヘルツ、深紫外の研究成果に関して、平山T.L.が仙台市市民講座「講座仙台学2010」で講演を行いました。
    平山秀樹：“近未来の光、テラヘルツ光・深紫外光の魅力-くらしを変える新しい光と応用の広がり-」”、講座仙台学、仙台、2010年7月24日
  • 2010年5月21日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.が応用物理学会・応用電子物性分科会研究例会で招待講演を行いました。
    平山秀樹：“AlGaN系深紫外LEDの進展と展望”、応用物理学会・応用電子物性分科会研究例会「紫外光デバイスの進展・材料物性と応用」、大阪大学、2010年5月21日
  • 2010年4月26日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.がJST戦略的イノベーション創出推進シンポジウムで招待講演を行いました。
    平山秀樹：“InAlGaN深紫外発光ダイオードと将来展望”、JST戦略的イノベーション創出推進シンポジウム「無機発光素子を用いた高機能照明・次世代レーザー技術の開発」、東京、2010年4月26日
  • 2010年4月14日：平山T.L.が、「応用物理学会編集貢献賞」を受賞しました。

  • 2010年2月26日：世界最高出力の深紫外LED実現に関して、毎日新聞・日刊工業新聞などから新聞報道されました。（メニューの新聞報道その他の報道に記載）

  • 2010年2月25日：世界最高出力の深紫外LEDの注入効率向上に関してプレスリリースしました。
    「深紫外LEDの出力が7倍（15mW）の世界最高値を達成」

  • 2010年2月：多重量子障壁（MQB）を用いた深紫外LEDの注入効率向上に関して、APEXに論文が掲載されました。
    H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Maeda and N. Kamata: "Marked enhancement in the efficiency of deep-ultraviolet AlGaN light-emitting diodes by using a multiquantum-barrier electron blocking layer", Appl. Phys. Express, 3, 031002, 2010.

  • 2010年2月：最短波長AlGaN-LED (222nm)の実現とその垂直放射特性に関して、APEXに論文が掲載されました。
    H. Hirayama, N. Noguchi and N. Kamata: "222 nm deep-ultraviolet AlGaN quantum well light-emitting diode with vertical emission properties", Appl. Phys. Express, 3, 032102, 2010.
  • 2010年1月27日：最近の深紫外LEDの研究成果に関して、平山T.L.がサンフランシスコで行われた国際会議【SPIE-Photonics West 2010】で招待講演を行いました。
    H. Hirayama: "Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs", SPIE-Photonics West, Materials, Devices and Applications for Solid State Lighting, San Francisco, USA, January 23-28, 2010.