特許出願

  1. 出願番号：2022-106750
    発明の名称：酸化亜鉛系量子カスケードレーザー素子
    発明者：平山秀樹，王利
    出願日：2022年7月1日
  2. 出願番号：PTC/JP2022/022136
    発明の名称：量子カスケードレーザー素子
    発明者：平山秀樹，王利，林宗澤
    出願日：2022年5月31日.
  3. 出願番号：2018-037012
    「量子カスケードレーザー素子」
    発明者：王利，林宗澤，平山秀樹
    出願日：2018年3月1日.
  4. 出願番号：2016-225108
    「紫外線発光素子」
    発明者：平山秀樹，阪井淳，高野隆好，美濃卓哉，野口憲路，後藤浩嗣
    出願日：2016年11月18日.
  5. 出願番号：JP2016/082397
    「深紫外ＬＥＤ及びその製造方法」
    発明者：平山秀樹，鹿嶋行雄，松浦恵理子，小久保光典，田代貴晴，上村隆一郎，
    長田大和，森田敏郎
    出願日：2016年11月1日.
  6. 出願番号：JP2016/004778
    「紫外線発光素子」
    発明者：平山秀樹，阪井淳，高野隆好，美濃卓哉，野口憲路
    出願日：2016年11月1日.
  7. 出願番号：JP2016/004777
    「紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器」
    発明者：平山秀樹，高野隆好，阪井淳，美濃卓哉，野口憲路，高野仁路，椿健治
    出願日：2016年11月1日.
  8. 出願番号：JP2016/082114
    「半導体積層体、発光素子および発光素子の製造方法」
    発明者：平山秀樹，吉本晋，上野昌紀，秋田勝史，山本善之
    出願日：2016年10月28日.
  9. 出願番号：JP2016/004678
    「紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器」
    発明者：平山秀樹，定昌史，美濃卓哉，野口憲路，高野隆好，阪井淳
    出願日：2016年10月25日.
  10. 出願番号：JP2016/075756（世界知的所有権機関）
    105128384（台湾）
    「深紫外ＬＥＤ及びその製造方法」
    発明者：平山秀樹，鹿嶋行雄，松浦恵理子，小久保光典，田代貴晴，上村隆一郎，
    長田大和，森田敏郎
    出願日：2016年9月2日.
  11. 出願番号：2010-038912
    「窒化物半導体多重量子障壁を有する発光素子及びその製造方法」
    発明者：平山秀樹
    出願日：2010年2月24日
  12. 出願番号：2009-104408
    「窒化物半導体層の製造方法、窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子」
    発明者：平山秀樹、藤川紗千恵、高野隆好、椿健治
    出願日：2009年4月22日
  13. 出願番号：2009-104407
    「窒化物半導体発光素子」
    発明者：平山秀樹、藤川紗千恵、高野隆好、椿健治
    出願日：2009年4月22日
  14. 出願番号：2009-049833
    「発光素子形成用複合基板、発光ダイオード素子及びその製造方法」
    発明者：平山秀樹、市園泰之
    出願日：2009年3月3日
  15. 出願番号：2009-049823
    「発光素子形成用複合基板、発光ダイオード素子及びその製造方法」
    発明者：平山秀樹、市園泰之
    出願日：2009年3月3日
  16. 出願番号：2009-049922
    「発光素子形成用複合基板、発光ダイオード素子及びその製造方法」
    発明者：平山秀樹、市園泰之
    出願日：2009年3月3日
  17. 出願番号：2009-046434
    「半導体発光素子及びその製造方法」
    発明者：平山秀樹、柴田智彦
    出願日：2009年2月27日
    （外国出願）アメリカ合衆国、ヨーロッパ、中国、韓国、台湾
  18. 出願番号：2009-531310
    「発光素子形成用複合基板及びその製造方法」
    発明者：平山秀樹、古内史人
    出願日：2008年9月3日
    （外国出願）台湾
  19. 出願番号：2008-168516
    「窒化物半導体発光素子」
    発明者：平山秀樹、藤川紗千恵、高野隆好、椿健治
    出願日：2008年6月27日
  20. 出願番号：2008-079786
    「窒化物半導体発光素子」
    発明者：平山秀樹、藤川紗千恵、高野隆好、椿健治
    出願日：2008年3月26日
  21. 特願：2007-219910
    「半導体発光素子及びその製造方法」
    発明者：平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    出願日：2007年8月27日
    （材料パルス状供給を用いた結晶成長により、窒化物半導体を高品質に成膜し高効率紫外線発光素子を実現する方法）
    （外国出願）アメリカ合衆国
  22. 特願：2007-219890
    「光半導体素子及びその製造方法」
    発明者：平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    出願日：2007年8月27日
    （アンモニアパルス供給多層成長方という新規結晶成長方を用い、高品質AlN結晶を製造し、紫外線短波LEDの高出力動作を可能とする技術について）
    （外国出願）アメリカ合衆国、ヨーロッパ、中国、韓国、台湾
  23. 特願：2006-286096
    「サファイア基板およびそれを用いる化合物半導体発光素子ならびに化合物半導体発光素子の製造方法」
    発明者：平山秀樹、Armitage Robert、近藤行廣
    出願日：2006年10月20日
    （外国出願）アメリカ合衆国、ヨーロッパ、中国、韓国、台湾
  24. 特開：2006-018159
    「窒化物半導体発光素子」
    発明者：平山秀樹、京野孝史
    出願日：2006年1月26日
    （外国出願）アメリカ合衆国、ヨーロッパ、中国、韓国、台湾
  25. 特開：2005-101533
    「発光素子およびその製造方法」
    発明者：平山秀樹、秋田勝史、中村孝夫
    出願日：2004年6月30日
    （外国出願）アメリカ合衆国、ヨーロッパ、中国、韓国、台湾
  26. 出願番号：2005-256826
    「窒化物発光素子およびそれを用いた照明」
    発明者：平山秀樹、高野隆好、近藤行廣、池田順治
    出願日：2005年9月5日
  27. 出願番号：2005-210288
    「窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子を製造する方法」
    発明者：平山秀樹、京野孝史
    出願日：2005年7月20日
    （外国出願）
    アメリカ合衆国：出願番号-11/195871、2005年8月3日出願
    EPO：出願番号-5016697.4、2005年8月1日出願
    韓国：出願番号-10-2005-0070504、2005年8月2日出願
    中国：出願番号-、2005年8月2日出願
    台湾：出願番号-94126291、2005年8月3日出願
  28. 出願番号：2005-154416
    「窒化物半導体発光素子」
    発明者：平山秀樹、京野孝史、中村孝夫
    出願日：2005年5月26日
    （外国出願）アメリカ合衆国、EPO、韓国、中国、台湾
  29. 特願：2004-020347
    「半導体素子」
    発明者：平山秀樹、秋田勝史
    出願日：2004年1月28日
  30. 特願：2004-007325
    「半導体発光素子」
    発明者：平山秀樹、秋田勝史、中村孝夫
    出願日：2004年1月14日
    （外国出願）
    アメリカ合衆国：出願番号-11/032230、2005年1月11日出願
    EPO：出願番号-5000415.9、2005年1月11日出願
    韓国：出願番号-10-2005-0003225、2005年1月13日出願
    中国：出願番号-20051000462.X、2005年1月13日出願
    台湾：出願番号-94100879、2005年1月11日出願
  31. 特願：2003-296474
    「発光素子およびその製造方法」
    発明者：平山秀樹、秋田勝史、中村孝夫
    出願日：2003年8月20日
    （外国出願）
    アメリカ合衆国：出願番号-10/916802、2004年8月11日出願
    EPO：出願番号-4019227、2004年8月12日出願
    韓国：出願番号-10-2004-0065360、2004年8月19日出願
    中国：出願番号-、2004年8月18日出願
    台湾：出願番号-93123921、2004年8月10日出願
  32. 特願：2003-016940
    「半導体の結晶成長方法、半導体の不純物ドーピング方法およびその装置ならびにそれを備えた素子」
    発明者：平山秀樹、岩井荘八、青柳克信
    出願日：2003年1月27日
  33. 特願：2003-017397
    「p型半導体を用いた紫外発光素子」
    発明者：平山秀樹、岩井荘八、青柳克信
    出願日：2003年1月27日
    （外国出願）
    アメリカ合衆国：出願番号-10/626661、2003年7月25日出願
  34. 出願番号：2001-228287
    「3次元結晶およびその製造方法ならびにプローブ」
    発明者：平山秀樹、青木画奈、青柳克信
    出願日：2001年7月27日
    （外国出願）
    アメリカ合衆国：出願番号-11/033296、2005年1月12日出願
  35. 特開：2002-170776
    「低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子」
    発明者：平山秀樹、青柳克信、平田彰
    出願日：2000年12月4日（2002年6月14日公開）
    （外国出願）
    アメリカ合衆国：出願番号-09/943222、2001年8月29日出願
  36. 特開：2002-075879
    「半導体の不純物ドーピング方法、その装置および半導体材料」
    発明者：平山秀樹、岩井荘八、青柳克信
    出願日：2000年9月1日（2002年3月15日公開）
    （外国出願）
    アメリカ合衆国：出願番号-09/941612、2001年8月30日出願
    EPO：出願番号-01121026.7、2001年8月31日出願
  37. 特開：2001-237455
    「紫外域の短波長域において発光するInAlGaNおよびその製造方法ならびにそれを用いた紫外発光素子」
    発明者：平山秀樹、青柳克信
    出願日：2000年2月23日（2001年8月31日公開）
    （外国出願）
    アメリカ合衆国：出願番号-09/790660、2001年2月23日出願
    EPO：出願番号-01301628.2、2001年2月22日出願
    中華人民共和国：出願番号-01112377.X、2001年2月23日出願
    大韓民国：出願番号-2001-0008761、2001年2月21日出願
  38. 出願番号：H07-217276
    「半導体レーザー」
    発明者：平山秀樹、浜野哲子、青柳克信
    出願日：1995年8月25日