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エイコー社製 超高真空成膜装置


 中央の準備室を挟んで、分子線エピタキシー(MBE)室とrfスパッタ室を配置。磁気ナノピラーや磁気リング及び面内スピンバルブの成膜に使用。
MBE室:到達真空度 < 6 × 10-8 Pa[ターボ分子ポンプ(TMP)使用], 15 kW電子銃1基 [5種類の母材(NiFe, Co, Cu, Au, SiO2など) 回転機構付き], 基板傾斜( ±90o)及び加熱( < 1000oC)可能。
スパッタ室: 到達真空度 < 6 × 10-6 Pa(TMP使用), 5種類のターゲット(SiO2, Ta, Au, NiFe, Coなど)回転機構, 基板加熱( < 1000oC)可能。
準備室: 到達真空度 < 4 × 10-3 Pa(TMP使用), 3 kW電子銃1基[4種類の母材(AuGe,Ptなど)回転機構付き]。