日本学術振興会「先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会」
平成25年度 第1回研究会

「最先端スピンデバイスと新しいスピン制御技術」

研究会の目的

次世代の省エネルギー・ナノエレクトロニクスデバイスの最有力候補の一つとして期待されているスピンデバイスは、激しい国際競争が繰り広げられており、凄まじい勢いで日々進展しています。最近では、各メーカーで、スピン注入書き込み型のメモリが量産され、試作器が評価されるなど、スピンRAM の普及も、いよいよ秒読み段階と考えられます。また、スピンRAM以外のデバイス適用が期待できる新奇なスピン伝導現象なども次々と報告されており、当該分野の様々な応用が期待されています。本研究会では、スピンデバイスの最新開発状況や新奇なスピン制御法などデバイス応用が期待できる新現象を、最前線で活躍中の研究者の方々からご紹介頂き、これからのスピントロニクスの伸びしろについて検討したいと思います。


日時 2013年5月9日(木) 13:00〜17:20


場所 東京大学大学院 工9号館1階会議室

http://sogo.t.u-tokyo.ac.jp/access.html


講演内容とスケジュール

13:00  與田 博明(東芝)
「垂直磁化 MTJの進展とノーマリオフ機器実現の可能性」


13:35  池田 正二(東北大学)
「不揮発性集積回路応用に向けたCoFeB-MgO磁気トンネル接合の開発状況」


14:10  前原 大樹(キャノンアネルバ)
「スピン注入自励発振器の開発と応用について」


14:45  野崎 隆之(産総研)
「電界によるスピン制御法の新展開」


15:20  休憩 


15:30  関口 康爾 (慶應義塾大学)
「マグノンスピントロニクスの新展開」


16:05  町田 友樹(東京大学)
「グラフェンへのスピン注入手法の確立とスピン緩和機構の解明に向けて」


16:40  好田 誠(東北大)
「半導体におけるスピン軌道相互作用を用いた電気的スピン生成とその制御」