日本学術振興会「先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会」
平成24年度　第1回研究会

ナノ材料分科会合同研究会

「2次元デバイスの可能性と新原理メモリ」

研究会の目的

現代社会を支えるエレクトロニクスの中でメモリは不可欠な電子デバイスです。DRAMが誕生して40年、フラッシュメモリに代表される不揮発性メモリができて30年が経ち、微細化の限界ともに、デバイス動作の限界も指摘されてはじめています。
本シンポジウムでは、10年後のメモリを考え、高集積化を維持しつつ、現実的なメモリの条件を材料と構造の視点から探ります。

日時　2012年5月29日(火)　13:00～17:00

場所　早稲田大学　西早稲田キャンパス　62号館１F　大会議室

http://www.waseda.jp/jp/campus/nishiwaseda.html

講演内容とスケジュール

１３：００　 遠藤　哲郎　　（東北大学　電気通信研究所）
「10年後のメモリ：何が求められているか？　－条件と課題－」

１３：３０ 　岡田　晋　　　（筑波大学）
「電子構造からみた2次元材料のデバイスへの可能性」

１４：１０ 　長田　実　　　（物質・材料研究機構）
「次世代メモリのためのナノシートキャパシタ」

１４：５０ 　猪川　洋　　　（静岡大学）
「単電子デバイスを用いた多機能メモリ」

１５：３０　 休憩　

１５：４０ 　澤　彰仁　（産業技術総合研究所）
「イオン液体を用いた酸化物電気二重層トランジスタとメモリ効果」

１６：２０ 　坂本　利司　　（LEAP）
「超低電力プログラマブルロジックを実現する原子スイッチ」