日本学術振興会「先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会」
平成23年度　第2回研究会

「フレキシブルエレクトロニクス・TFTの現状」

研究会の目的

フレキシブルエレクトロニクスは、高度な微細加工技術を駆使して、高速・大容量・高性能を追求してきた従来のエレクトロニクスとは大きく違い、プラスチックなどの耐衝撃性に優れた安価な材料を用い，印刷などの低コストの作製技術により，これまでにない新しい分野で、人と情報とをより密接につなぐインターフェースとして大きく期待されています。今回の研究会では、アプリケーションの観点を大切にしながら、要素技術にも踏み込んで、必要とされるデバイスとその背景にある物理について各分野での専門家の方にご講演をいただくことにしました。

日時　2012年1月16日(月)　13:00〜17:50

場所　東京大学大学院 工9号館1階会議室

http://sogo.t.u-tokyo.ac.jp/access.html

講演内容とスケジュール

１３：００ 　大野 雄高（名古屋大学）
「カーボンナノチューブフレキシブルデバイス」

１３：４０ 　工藤 一浩（千葉大学）
「フレキシブル有機トランジスタの開発と応用展開」

１４：２０ 　吉田 学（産業技術総合研究所）
「印刷による無線IDタグの開発状況」

１５：００　 休憩　

１５：３０ 　永井 一清（明治大学）
「フレキシブルエレクトロニク スデバイスにおけるバリア性評価技術の現状 と課題」

１６：１０ 　相原 聡（NHK放送技術研究所）
「有機撮像デバイスの開発動向」

１６：５０ 　山元 良高（シャープ株式会社）
「高性能TFTの技術イノベーションと将来技術」