須崎 友文 氏 (東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻)
「磁場応答を示すマンガン酸化物-チタン酸化物へテロ接合」
ペロブスカイト型マンガン酸化物は大きな磁気輸送効果を示すことで知られ、精力的に研究が進められている。特に、強磁性転移温度近傍での巨大磁気抵抗効果（CMR）、強磁性金属-絶縁体障壁層-強磁性金属構造で見られるトンネル磁気抵抗効果（TMR）は、物性物理とデバイス応用の両方の観点から注目を集めてきた。最近になって、マンガン酸化物-チタン酸化物ダイオード構造において、接合特性が磁場に大きく依存する様子が報告されている。このような単純な single-interface 構造の磁場依存性は、バルクの強磁性転移温度との関連がはっきりしないことと、三層構造における TMR の磁場依存性とは同じ起源ではありえないことから、マンガン酸化物の新しい磁気輸送現象である可能性がある。接合の電流-電圧特性や電気容量-電圧特性測定は界面の電子状態を敏感にプローブすることができ、特に外部磁場下における界面電子状態を調べることができるという点で有用である。本講演では、特に磁場下における電流-電圧特性について詳細に議論を行う。