2016年　(一社) レーザー学会 東京支部セミナー 開催のご案内

レーザー学会東京支部

支部委員長　山口 滋

主  催：	一般社団法人 レーザー学会 東京支部
開催日時：	2016年7月22日（金）　13:00-17:00 （セミナー終了後、懇親会を開催いたします）
会  場：	慶應義塾大学理工学部 矢上キャンパス 14棟B2F マルチメディアルーム   〒223-8522 横浜市港北区日吉3-14-1 　東急東横線・東急目黒線・横浜市営地下鉄グリーンライン「日吉」駅下車（徒歩15分） JR横須賀線 新川崎駅下車（タクシーで約2km）
対象：	一般の若手技術者の方。大学、大学院、高専、専門学校などの学生の方。
セミナー主旨:	半導体光源の代表的デバイスであるLEDとLDは、波長域の拡大や高出力化など の高機能化が着実に進化しており、さらにはそれらの最先端デバイスを用いた新た な用途の開拓などの利用技術の拡張も進んでいます。今回のセミナーでは、最先端 の半導体光源とその応用技術にスポットを当て、光源の開発から最新の応用例まで を、この分野の第一線でご活躍の先生方にわかりやすく解説していただきます。
参 加 費：	一般会員（賛助会員を含む）	3,000円(テキスト代を含む)
	一般非会員*	5,000円(テキスト代を含む)
	学生会員	無料(テキスト別売り)
	テキスト別売り	一般 2,000円 (2冊目以降), 学生会員 500円 , 学生非会員 1,000円
懇親会	3,000円
※賛助会員の団体に御所属の方および、非会員で当日入会の方も会員扱いとさせていただきます
参加申込：	事前申込不要．当日会場にて受付いたします。（懇親会も同様）

お問い合わせ先:
　伊澤 淳　（ＩＨＩ）　　E-mail: jun_izawa@ihi.co.jp
　　TEL: 045-759-2819 , FAX 045-759-2207

2016年7月22日（金）　13:00-17:00

プログラム：（講演題目は変更される場合があります）(敬称略)

13:00~ 13:05	レーザー学会　東京支部長挨拶
	山口 滋 (東海大学)
13:05~ 13:10	企画説明
	担当幹事
13:10-14:00	第1講　紫外AlGaN半導体レーザーの進展
	浜松ホトニクス　吉田　治正
14:00-14:50	第2講　無極性・非極性サファイア基板を用いた高効率深紫外LEDの検討
	理化学研究所　定　昌史
14:50-15:20	休  憩
15:20-16:10	第3講　シリコン基板上に集積した横注入薄膜レーザー
	NTT先端集積デバイス研究所　硴塚　孝明
16:10-17:00	第4講　マイクロ固体フォトニクスによる小型ジャイアントパルスレーザー
	分子科学研究所　平等　拓範
17:20-	懇親会（日吉キャンパス　来往舎　ファカルティラウンジ）

会場での企業・団体の宣伝資料設置を受付け致します（事前受付）。担当（伊澤）までお問い合わせください。

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