レーザー学会東京支部 |
支部委員長 小原 實 |
主 催: | 一般社団法人レーザー学会 東京支部 | ||
開催日時: | 2012年11月02日(金) 13:00-18:10 (セミナー終了後、懇親会を開催いたします) | ||
会 場: | 慶應義塾大学理工学部 矢上キャンパス 14棟B2F マルチメディアルーム 〒223-8522 横浜市港北区日吉3-14-1 東急東横線・東急目黒線・横浜市営地下鉄グリーンライン「日吉」駅下車(徒歩15分) JR横須賀線 新川崎駅下車(タクシーで約2km) |
||
セミナーの趣旨: | 半導体光源は、光通信やレーザー励起光源などに利用されてきましたが、近年、波長の多様化、高輝度化などの技術的な進展に基づいて、各種装置の高機能化に寄与するとともに、その利用は多岐多様に広がっています。今回、その中から先端的光源開発とその応用をテーマとして、この分野の第一線でご活躍の先生方にご解説いただきます。また、セミナー終了後には懇親会を開催し、講師の先生方や参加者の皆様方との交流を持つ機会とさせていただきます。奮ってご参加ください。 | ||
参 加 費: テキスト代を含む |
一般会員(賛助会員を含む) | 5,000円 | |
一般非会員* | 9,000円 | ||
学生会員 | 2,000円 | ||
学生非会員* | 4,000円 | ||
テキスト販売 | 2,000円 | ||
懇親会 | 3,000円 | ||
*非会員の方でも当日ご入会頂いた方は会員扱いとさせていただきます.追加でテキストが必要な方には1部2000円で販売いたします. | |||
参加申込: | 事前申込不要.当日会場にて受付いたします.(懇親会も同様) |
13:00-13:10 | レーザー学会東京支部長挨拶 |
小原 實 (慶應義塾大学) | 13:10-13:20 | セミナー企画説明 |
山口 滋 (東海大学) | |
13:20-14:05 | 第1講 シリコンフォトニクスにおける光デバイス研究開発動向 〜ハイブリッド半導体レーザーを中心として〜 |
西山 伸彦 (東京工業大学) | |
14:05-14:50 | 第2講 通信用半導体量子ドットレーザの開発と事業展開 |
菅原 充 ((株)QDレーザ) | |
14:50-15:35 | 第3講 AlGaN系深紫外LEDの進展と展望 |
平山 秀樹 (理化学研究所) | |
15:35-15:55 | 休 憩 |
15:55-16:40 | 第4講 PPLN導波路を用いた半導体レーザーの高効率波長変換と
位相感応増幅技術の研究
|
遊部 雅生 (NTT フォトニクス研究所) | |
16:40-17:25 | 第5講 ファイバーレーザー励起用高輝度半導体レーザーの進展 |
藤本 毅 (オプトエナジー株式会社) | |
17:25-18:10 | 第6講 半導体レーザーの高効率ファイバー結合技術研究開発の進展 |
榎谷 順 (株式会社 OPTI) | |
18:30- | 懇親会(日吉キャンパス 来往舎 ファカルティラウンジ) |